Русский
English
Zakharchenya Boris Petrovich
01.05.1928 - 10.04.2005
Academic degree: doctor of physical and mathematical sciences
Борис Петрович Захарченя – основоположник научной школы ФТИ по спектроскопии и магнитооптике полупроводников.
Его выдающийся вклад в отечественную и мировую науку отмечен присуждением ему Ленинской премии 1966 года за фундаментальные исследования по физике экситонов и Государственной премии 1976 года за исследования по оптической ориентации спинов электронов и ядер в твердых телах, а также Большой золотой медали им. П.Н. Лебедева РАН.
Долгие годы Борис Петрович Захарченя был главным редактором журнала “Физика твердого тела”, профессором кафедры оптоэлектроники Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета.
Награжден орденами “За заслуги перед Отечеством” IV степени, “Знак почета” и медалями.
Events
Publications
- Linear polarization of the photoluminescence of quantum wells subject to in-plane magnetic fields, A. V. Koudinov, N. S. Averkiev, Y. G. Kusrayev, B. R. Namozov, B. P. Zakharchenya, D. Wolverson, J. J. Davies, T. Wojtowicz, G. Karczewski, J. Kossut, Phys. Rev. B, v.74, n.19, 2006[/11/28]
- Optical orientation and alignment of excitons in self-assembledCdSe∕ZnSequantum dots: The role of excited states, Y. G. Kusrayev, A. V. Koudinov, B. P. Zakharchenya, S. Lee, J. K. Furdyna, M. Dobrowolska, Phys. Rev. B, v.72, n.15, 2005[/10/03]
- Integrating magnetism into semiconductor electronics, B. P. Zakharchenya, V. L. Korenev, Phys.-Usp., v.48, n.6, pp. 603-608, 2005[/06/30]
- Suppression of Dyakonov-Perel Spin Relaxation in High-Mobilityn-GaAs, R. I. Dzhioev, K. V. Kavokin, V. L. Korenev, M. V. Lazarev, N. K. Poletaev, B. P. Zakharchenya, E. A. Stinaff, D. Gammon, A. S. Bracker, M. E. Ware, Phys. Rev. Lett., v.93, n.21, 2004[/11/15]
- The hanle effect in nonuniformly doped GaAs, R. I. Dzhioev, B. P. Zakharchenya, K. V. Kavokin, M. V. Lazarev, Phys. Solid State, v.45, n.12, pp. 2255-2263, 2003[/12/01]
- The anomalous Hanle effect in semimagnetic semiconductor quantum wells, A. V. Kudinov, Y. G. Kusraev, I. A. Merkulov, K. V. Kavokin, I. G. Aksyanov, B. P. Zakharchenya, Phys. Solid State, v.45, n.7, pp. 1360-1373, 2003[/07/01]
- Low-temperature spin relaxation inn-type GaAs, R. I. Dzhioev, K. V. Kavokin, V. L. Korenev, M. V. Lazarev, B. Y. Meltser, M. N. Stepanova, B. P. Zakharchenya, D. Gammon, D. S. Katzer, Phys. Rev. B, v.66, n.24, 2002[/12/20]
- Optical orientation and the Hanle effect of neutral and negatively charged excitons inGaAs/AlxGa1-xAsquantum wells, R. I. Dzhioev, V. L. Korenev, B. P. Zakharchenya, D. Gammon, A. S. Bracker, J. G. Tischler, D. S. Katzer, Phys. Rev. B, v.66, n.15, 2002[/10/30]
- <title>Paulo blockade in spin-flip Raman scattering via donor bound excitons</title>, A. V. Koudinov, Y. G. Kusrayev, B. P. Zakharchenya, D. Wolverson, J. J. Davies, J. Kossut, 2002[/06/05]
- <title>Inelastic inter-valence-band scattering of photoexcited holes in quantum dot structures</title>, B. K. Bairamov, B. P. Zakharchenya, V. V. Toporov, V. A. Voitenko, F. B. Bairamov, M. Henini, 2002[/06/05]