28.04.2022.
И. В. Калитухо,
Ферромагнитный эффект близости в гибридной структуре ферромагнетик-полупроводниковая квантовая яма.
Диссертация на соискание ученой степени: candidate of physical and mathematical sciences, по специальности
физика конденсированного состояния (1.3.8),
совет: ФТИ 34.01.01,
руководитель(и):
В. Ф. Сапега.
Место защиты: ФТИ им. А.Ф. Иоффе.
Текст диссертации.Автореферат.
23.09.2021.
С. В. Некрасов,
Оптическая ориентация спинов в полупроводниковых квантовых точках InP/(In,Ga)P и (In,Al)As/AlAs.
Диссертация на соискание ученой степени: candidate of physical and mathematical sciences, по специальности
физика конденсированного состояния (01.04.07),
совет: ФТИ 34.01.01,
руководитель(и):
Ю. Г. Кусраев.
Место защиты: ФТИ им. А.Ф. Иоффе.
Текст диссертации.Автореферат.
24.01.2019.
Г. С. Димитриев,
Исследование спиновых взаимодействий в разбавленном магнитном полупроводнике (Ga,Mn)As методами горячей фотолюминесценции и неупругого рассеяния света с переворотом спина.
Диссертация на соискание ученой степени: candidate of physical and mathematical sciences, по специальности
физика полупроводников (01.04.10),
совет: Д 002.205.02,
руководитель(и):
В. Ф. Сапега.
Место защиты: ФТИ им. А.Ф. Иоффе.
Утверждена ВАК: 09 июля 2019, протокол: 624/нк прил. 6.
Текст диссертации.Автореферат.
20.12.2018.
А. А. Головатенко,
Энергетическая структура и магнитооптические свойства экситонных комплексов в полупроводниковых квантовых точках A2B6.
Диссертация на соискание ученой степени: candidate of physical and mathematical sciences, по специальности
физика полупроводников (01.04.10),
совет: Д 002.205.02,
руководитель(и):
А. В. Родина.
Место защиты: ФТИ им. А.Ф. Иоффе.
Текст диссертации.Автореферат.
13.12.2017.
М. Котур,
Низкотемпературная ядерная спин-решеточная релаксация в n-GaAs.
Диссертация на соискание ученой степени: candidate of physical and mathematical sciences, по специальности
01.04.10 — Физика полупроводников,
руководитель(и):
К. В. Кавокин.
Место защиты: СПбГУ.
Текст диссертации.
17.11.2016.
А. В. Родина,
Оптические и спиновые явления в полупроводниковых коллоидных нанокристаллах.
Диссертация на соискание ученой степени: doctor of physical and mathematical sciences, по специальности
физика полупроводников (01.04.10),
совет: Д 002.205.02,
Место защиты: ФТИ им. А.Ф. Иоффе.
Утверждена ВАК: 28 апреля 2017, протокол: 397/нк прил. 10.
Текст диссертации.Автореферат.
11.12.2008.
А. В. Кудинов,
Эффекты анизотропии и межчастичные обменные взаимодействия в полупроводниковых наноструктурах А2В6.
Диссертация на соискание ученой степени: doctor of physical and mathematical sciences, по специальности
физика конденсированного состояния (01.04.07),
совет: Д 002.205.01,
Место защиты: ФТИ им. А.Ф. Иоффе.
Текст диссертации.Автореферат.
05.06.2003.
В. Л. Коренев,
Магнитные взаимодействия в спиновых системах полупроводниковых структур.
Диссертация на соискание ученой степени: doctor of physical and mathematical sciences, по специальности
физика конденсированного состояния (01.04.07),
совет: Д 002.205.01,
Место защиты: ФТИ им. А.Ф. Иоффе.
Утверждена ВАК: 14 ноября 2003, протокол: 44д/22.
Текст диссертации.Автореферат.
29.06.2000.
И. А. Акимов,
Свойства горячих электронов в квантовых ямах и сверхрешетках GaAs / AlxGa1-xAs.
Диссертация на соискание ученой степени: candidate of physical and mathematical sciences, по специальности
физика полупроводников и диэлектриков (01.04.10),
руководитель(и):
Б. П. Захарченя.
Место защиты: ФТИ им. А.Ф. Иоффе.
Текст диссертации.Автореферат.
08.06.2000.
Ю. Г. Кусраев,
Фото- и магнитоиндуцированные эффекты в полумагнитных полупроводниках и квантовых структурах.
Диссертация на соискание ученой степени: doctor of physical and mathematical sciences, по специальности
физика конденсированного состояния (01.04.07),
совет: Д 002.205.01,
Место защиты: ФТИ им. А.Ф. Иоффе.
Утверждена ВАК: 10 ноября 2000, протокол: 54д/43.
Текст диссертации.Автореферат.
19.11.1998.
В. Ф. Сапега,
Фотолюминесценция горячих электронов и комбинационное рассеяние света в структурах с квантовыми ямами GaAs/AlAs.
Диссертация на соискание ученой степени: doctor of physical and mathematical sciences, по специальности
физика полупроводников и диэлектриков (01.04.10),
Место защиты: ФТИ им. А.Ф. Иоффе.
Текст диссертации.Автореферат.
19.03.1998.
В. К. Калевич,
Анизотропия и нелинейные эффекты при оптической ориентации в объемных полупроводниках и структурах с квантовыми ямами.
Диссертация на соискание ученой степени: doctor of physical and mathematical sciences, по специальности
физика твердого тела (01.04.07),
совет: Д 003.23.03,
Место защиты: ФТИ им. А.Ф. Иоффе.
Текст диссертации.
15.11.1993.
В. Л. Коренев,
Эффективные магнитные поля сверхтонкого и спин-орбитального взаимодействий в квантовых ямах GaAs/AlGaAs.
Диссертация на соискание ученой степени: candidate of physical and mathematical sciences, по специальности
физика полупроводников и диэлектриков (01.04.10),
руководитель(и):
В. К. Калевич.
Место защиты: ФТИ им. А.Ф. Иоффе.
Автореферат.
Bachelor and master diplomas
08.06.2023.
Н. О. Михайленко,
Влияние Г-Х смешивания на оптическую ориентацию и выстраивание экситонов в квантовых точках (In,Al)As/AlAs.
Диплом bachelorа, по направлению 03.03.02 Физика,
руководитель(и):
Ю. Г. Кусраев.
Место защиты: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого.
Текст диплома.
08.06.2023.
Л. Г. Цапанова,
Анизотропия эффекта Ханле в наклонном магнитном поле в непрямозонных квантовых точках (In,Al)As/AlAs.
Диплом bachelorа, по направлению 03.03.02 Физика,
руководитель(и):
Ю. Г. Кусраев.
Место защиты: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого.
Текст диплома.
06.06.2023.
К. И. Русских,
Энергетический спектр и волновые функции электрона в сферической квантовой точке: роль граничных условий.
Диплом bachelorа, по направлению 03.03.01 Прикладные математика и физика,
руководитель(и):
А. В. Родина.
Место защиты: Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет РАН.
Текст диплома.
01.06.2023.
Я. А. Кузнецова,
Рекомбинационное излучение в гетероэпитаксиальных квантоворазмерных структурах с квантоворазмерными точками InAs, выращенными на поверхности GaAs (311)B.
Диплом masterа, по направлению 16.04.01 – Техническая физика,
руководитель(и):
Б. Х. Байрамов.
Место защиты: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого.
Текст диплома.
01.06.2022.
И. И. Козлов,
Двойной резонанс в Рамановском рассеянии света с испусканием оптического фонона в квантовых ямах (Cd, Mn)Te.
Диплом masterа, по направлению 03.04.02/09 Физика конденсированных сред и функциональных наноструктур,
руководитель(и):
Ю. Г. Кусраев.
Место защиты: СПбПУ.
Текст диплома.
27.05.2021.
О. О. Смирнова,
Оптическое выстраивание и оптическая ориентация экситонов в коллоидных наноплателетах CdSe.
Диплом masterа, по направлению 16.04.01 Техническая физика,
руководитель(и):
А. В. Родина.
Текст диплома.
01.01.2019.
О. О. Смирнова,
Исследование характеристик экситонной фотолюминесценции ансамбля нанокристаллов.
Диплом bachelorа,
руководитель(и):
А. В. Родина.
Текст диплома.
Русский
English