Events
Candidate thesis defense by I.V. Kalitukho “Ferromagnetic proximity effect in a hybrid structure of a ferromagnet-semiconductor quantum well”
На соискание научной степени кандидата физико-математических наук по специальности физика конденсированного состояния (1.3.8).
Подробнее...Candidate thesis defense by S.V. Nekrasov “Optical orientation of spins in semiconductor quantum dots InP/(In,Ga)P and (In,Al)As/AlAs”
На соискание научной степени кандидата физико-математических наук по специальности физика конденсированного состояния (1.3.8).
Подробнее...Ioffe Institute Awards 2020
Присуждены Премии ФТИ за 2020 год за работы:
- "Поверхностный магнетизм в двумерных коллоидных нанокристаллах на основе CdSe"
Авторы: Родина, А.В.; Головатенко, А.А.; Яковлев, Д.Р.; Калитухо, И.В.; Сапега, В.Ф.; Кусраев, Ю.Г.
- "Дробный орбитальный угловой момент в серповидном конденсате экситонных поляритонов"
Авторы: Лукошкин, В.А.; Калевич, В.К.; Афанасьев, М.М.
Подробнее...Ioffe Institute's project - winner of the international competition "Russia and Germany: Educational Bridges"
15 сентября 2020 г. на торжественной Церемонии закрытия Российско-германского года научно-образовательных партнерств 2018–2020 гг. российско-немецкий проект «Когерентное управление взаимодействующими спиновыми возбуждениями в полупроводниковых гетероструктурах» был объявлен победителем открытого российско-германского конкурса «Россия и Германия: научно-образовательные мосты».
Подробнее...Ioffe Institute Award for "Exciton interaction with resident electrons in colloidal CdSe nanocrystals"
Присуждена Премия ФТИ за 2019 год за работу "Взаимодействие экситона с резидентными электронами в коллоидных нанокристаллах CdSe"
Авторы: Ивченко, Е.Л.; Калитухо, И.В.; Кусраев, Ю.Г.; Родина, А.В.; Сапега, В.Ф.; Яковлев, Д.Р.
Подробнее...Candidate thesis defense by G.S. Dimitriev “Investigation of spin interactions in a dilute magnetic semiconductor (Ga,Mn)As by HPL and SFRS methods”
На соискание научной степени кандидата физико-математических наук по специальности физика полупроводников (01.04.10).
Подробнее...