Lebedev Dmitriy Vladimirovich

Academic degree: candidate of physical and mathematical sciences
Position: senior scientific researcher
e-mail: lebedev.dmitri@mail.ioffe.ru
ORCID: 0000-0003-1475-6303
Ioffe DB: 2135
Projects
- РНФ 23-12-00300 “Спин-зависимые и экситонные эффекты в двумерных и нульмерных полупроводниковых наносистемах”, head: A. V. Rodina (2023 - 2025)
- Грант РНФ-FWO 20-42-01008 “Экситоны и экситонные комплексы в коллоидных нанокристаллах: влияние размерности, кристаллической структуры и поверхности (CONEX)”, head: A. V. Rodina (2020 - 2022)
Publications
- Whispering gallery mode emission of low density InP/GaInP quantum dots, D. V. Lebedev, A. Vlasov, V. Smirnov, I. Breev, E. Pelucchi, A. Gocalinska, G. Juska, M. Kulagina, Y. Guseva, S. Troshkov, V. Davydov, A. Smirnov, A. Mintairov, 2020[/01/01]
- Selective epitaxy of InP/GaInP quantum dots using SiO2 mask, A. S. Vlasov, A. V. Ankudinov, N. A. Kalyuzhnyy, D. V. Lebedev, S. A. Mintairov, R. A. Salii, I. S. Mukhin, A. M. Mozharov, A. M. Mintairov, 2020[/01/01]
- Atomic ordering and bond relaxation in optical spectra of self-organized InP/GaInP2 Wigner molecule structures, A. M. Mintairov, D. V. Lebedev, N. Bert, K. G. Belyaev, V. N. Nevedomskiy, M. V. Rakhlin, A. A. Toropov, A. S. Vlasov, A. Gocalinska, G. Juska, E. Pelucchi, M. A. Arredondo, A. B. Naden, A. V. Shelaev, V. A. Bykov, Appl. Phys. Lett., v.115, n.20, p. 202104, 2019[/11/11]
- Filling of In(Ga)P/GaInP quantum dot electron states detected by microphotoluminescence, A. Y. Romanova, K. G. Belyaev, P. A. Buriak, A. S. Vlasov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, R. Salii, D. V. Lebedev, M. V. Rakhlin, V. I. Smirnov, A. A. Toropov, A. A. Bogdanov, S. Ramezanpour, A. M. Mintairov, J. Phys.: Conf. Ser., v.1400, n.7, p. 77013, 2019[/11/01]
- Low Threshold Lasing in InP/GaInP Quantum Dot Microdisks, D. V. Lebedev, A. S. Vlasov, M. M. Kulagina, S. I. Troshkov, Y. A. Guseva, E. Pelucchi, A. Gocalinska, G. Juska, A. Y. Romanova, P. A. Buriak, V. I. Smirnov, A. V. Shelaev, V. A. Bykov, A. M. Mintairov, Semiconductors, v.52, n.14, pp. 1894-1897, 2018[/12/01]
- Control of Wigner localization and electron cavity effects in near-field emission spectra of In(Ga)P/GaInP quantum-dot structures, A. M. Mintairov, J. Kapaldo, J. L. Merz, S. Rouvimov, D. V. Lebedev, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, K. G. Belyaev, M. V. Rakhlin, A. A. Toropov, P. N. Brunkov, A. S. Vlasov, Y. M. Zadiranov, S. A. Blundell, A. M. Mozharov, I. Mukhin, M. Yakimov, S. Oktyabrsky, A. V. Shelaev, V. A. Bykov, Phys. Rev. B, v.97, n.19, 2018[/05/29]
- Density Control of InP/GaInP Quantum Dots Grown by Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy, D. V. Lebedev, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, K. G. Belyaev, M. V. Rakhlin, A. A. Toropov, P. Brunkov, A. S. Vlasov, J. Merz, S. Rouvimov, S. Oktyabrsky, M. Yakimov, I. V. Mukhin, A. V. Shelaev, V. A. Bykov, A. Y. Romanova, P. A. Buryak, A. M. Mintairov, Semiconductors, v.52, n.4, pp. 497-501, 2018[/04/01]
- Lasing in microdisks with an active region based on lattice-matched InP/AlInAs nanostructures, D. V. Lebedev, A. M. Mintairov, A. S. Vlasov, V. Y. Davydov, M. M. Kulagina, S. I. Troshkov, A. A. Bogdanov, A. N. Smirnov, A. Gocalinska, G. Juska, E. Pelucchi, J. Kapaldo, S. Rouvimov, J. L. Merz, Tech. Phys., v.62, n.7, pp. 1082-1086, 2017[/07/01]
- Excitonic lasing of strain-free InP(As) quantum dots in AlInAs microdisk, D. V. Lebedev, M. M. Kulagina, S. I. Troshkov, A. S. Vlasov, V. Y. Davydov, A. N. Smirnov, A. A. Bogdanov, J. L. Merz, J. Kapaldo, A. Gocalinska, G. Juska, S. T. Moroni, E. Pelucchi, D. Barettin, S. Rouvimov, A. M. Mintairov, v.110, n.12, 2017[/03/20]
- Лазерная генерация в микродисках с активной областью на основе решеточно-согласованных InP/AlInAs наноструктур, Д. В. Лебедев, А. М. Минтаиров, А. С. Власов, В. Ю. Давыдов, М. М. Кулагина, С. И. Трошков, А. А. Богданов, А. Н. Смирнов, A. Gocalinska, G. Juska, E. Pelucchi, J. Kapaldo, S. Rouvimov, J. L. Merz, v.87, n.7, p. 1066, 2017[/01/01]