Golovatenko Aleksandr Anatolevich

Academic degree: candidate of physical and mathematical sciences

Position: senior scientific researcher

ORCID: 0000-0003-2248-3157

Ioffe DB: 2542

Dissertations

• 20.12.2018. Энергетическая структура и магнитооптические свойства экситонных комплексов в полупроводниковых квантовых точках A2B6. Диссертация на соискание ученой степени: candidate of physical and mathematical sciences, по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: Д 002.205.02, руководитель(и): А. В. Родина. Место защиты: ФТИ им. А.Ф. Иоффе. Текст диссертации. Автореферат.

Projects

• РНФ 23-12-00300 “Спин-зависимые и экситонные эффекты в двумерных и нульмерных полупроводниковых наносистемах”, head: A. V. Rodina (2023 - 2025)
• Грант РНФ-FWO 20-42-01008 “Экситоны и экситонные комплексы в коллоидных нанокристаллах: влияние размерности, кристаллической структуры и поверхности (CONEX)”, head: A. V. Rodina (2020 - 2022)
• РФФИ №19-52-12064 “Взаимодействие спинов экситонов, носителей и оборванных связей в коллоидных наноструктурах”, head: A. V. Rodina (2019 - 2023)

Events

• 24.05.2024 Ioffe Institute Award 2023 for the series of works “Zeeman effect in the valence band of semiconductor nanocrystals: cubic anisotropy and spin-orbit mixing"
• 29.03.2023 Ioffe Institute Award 2022 for the series of works “Optical and magneto-optical properties of spherical CdSe nanocrystals”
• 03.10.2022 Our employees took part in the XV Russian Conference on Semiconductor Physics
• 31.12.2020 Ioffe Institute Awards 2020
• 20.12.2018 Candidate thesis defense by A.A. Golovatenko “Energy structure and magneto-optical properties of exciton complexes in A2B6 semiconductor QDs”

Publications

• Resonance energy transfer in a dense array of II–VI quantum dots, T. V. Shubina, K. G. Belyaev, M. A. Semina, A. V. Rodina, A. A. Golovatenko, A. A. Toropov, S. V. Sorokin, I. V. Sedova, V. Y. Davydov, A. N. Smirnov, P. S. Kop’ev, S. V. Ivanov, Phys. Solid State, v.58, n.11, pp. 2256-2260, 2016[/11/01]
• Spectral selection of excitonic transitions in a dense array of CdSe/ZnSe quantum dots, T. V. Shubina, A. V. Rodina, M. A. Semina, A. A. Golovatenko, A. A. Toropov, M. V. Rakhlin, I. V. Sedova, S. V. Sorokin, S. V. Gronin, A. A. Sitnikova, D. I. Kuritsyn, S. M. Sergeev, Z. F. Krasil'nik, S. V. Ivanov, Phys. Status Solidi B, v.253, n.8, pp. 1485-1489, 2016[/08/01]
• Chloride epitaxy of β-Ga2O3 layers grown on c-sapphire substrates, V. I. Nikolaev, A. I. Pechnikov, S. I. Stepanov, S. S. Sharofidinov, A. A. Golovatenko, I. P. Nikitina, A. N. Smirnov, V. E. Bugrov, A. E. Romanov, P. N. Brunkov, D. A. Kirilenko, Semiconductors, v.50, n.7, pp. 980-983, 2016[/07/01]
• Ground state of the holes localized in II-VI quantum dots with Gaussian potential profiles, M. A. Semina, A. A. Golovatenko, A. V. Rodina, Phys. Rev. B, v.93, n.4, 2016[/01/12]
• Density of States and Photoluminescence Spectra in the Dense Arrays of Epitaxial CdSe/ZnSe Quantum Dots with Gaussian Potential Profile, A. A. Golovatenko, M. A. Semina, A. V. Rodina, T. V. Shubina, Acta Phys. Pol. A, 2016[/01/01]
• Förster energy transfer of dark excitons enhanced by a magnetic field in an ensemble of CdTe colloidal nanocrystals, F. Liu, A. V. Rodina, D. R. Yakovlev, A. A. Golovatenko, A. Greilich, E. D. Vakhtin, A. Susha, A. L. Rogach, Y. G. Kusrayev, M. Bayer, Phys. Rev. B, v.92, n.12, 2015[/09/04]
• Specific features of the hydride vapor-phase epitaxy of nitride materials on a silicon substrate, M. G. Mynbaeva, A. A. Golovatenko, A. I. Pechnikov, A. A. Lavrent’ev, K. D. Mynbaev, V. I. Nikolaev, Semiconductors, v.48, n.11, pp. 1535-1538, 2014[/11/01]
• β-Ga2O3 crystal growing from its own melt, V. N. Maslov, V. M. Krymov, M. N. Blashenkov, A. A. Golovatenko, V. I. Nikolaev, Tech. Phys. Lett., v.40, n.4, pp. 303-305, 2014[/04/01]
• Exciton spin dynamics of colloidal CdTe nanocrystals in magnetic fields, F. Liu, A. V. Rodina, D. R. Yakovlev, A. Greilich, A. A. Golovatenko, A. S. Susha, A. L. Rogach, Y. G. Kusrayev, M. Bayer, Phys. Rev. B, v.89, n.11, 2014[/03/10]
• On the self-structuring of single-crystal silicon wafers under inductive heating in vacuum, M. G. Mynbaeva, S. P. Lebedev, A. A. Lavrent’ev, K. D. Mynbaev, A. A. Golovatenko, A. A. Lebedev, V. I. Nikolaev, Semiconductors, v.48, n.3, pp. 350-353, 2014[/03/01]

Back to the list of employees