Русский
English
Сапега Виктор Фёдорович
Полное имя на английском: Sapega Viktor Fedorovich
07.03.1955 - 04.04.2022
Учёная степень: доктор физико-математических наук
ORCID: 0000-0003-3944-7443
Диссертации
- 19.11.1998. Фотолюминесценция горячих электронов и комбинационное рассеяние света в структурах с квантовыми ямами GaAs/AlAs. Диссертация на соискание ученой степени: доктор физико-математических наук, по специальности физика полупроводников и диэлектриков (01.04.10), Место защиты: ФТИ им. А.Ф. Иоффе. Текст диссертации. Автореферат.
Проекты
- Грант РНФ № 18-12-00352 “Оптический, электрический и деформационный контроль спинов в полупроводниковых наноструктурах”, руководитель: Ю. Г. Кусраев (2018 - 2020)
- РФФИ №15-52-12017 “Исследование спин-спиновых взаимодействий носителей заряда и магнитных ионов методом неупругого рассеяния света с переворотом спина”, руководитель: В. Ф. Сапега (2015 - 2018)
- Грант РНФ № 14-42-00015 “Оптические явления в спин-коррелированных системах в полупроводниковых наноструктурах”, руководитель: Д. Р. Яковлев (2014 - 2018)
События
- 31.12.2020 Премии ФТИ 2020
- 31.12.2019 Премия ФТИ за работу "Взаимодействие экситона с резидентными электронами в коллоидных нанокристаллах CdSe"
- 21.09.2015 Открытие международного исследовательского центра (ICRC)
- 31.12.2012 Премия ФТИ за работу "Оптическая ориентация ионов марганца в GaAs:Mn"
- 31.12.2009 Премия ФТИ за работу "Поляризация дырок и ферромагнитный порядок в разбавленном магнитном полупроводнике (Ga,Mn)As"
Публикации
- Hot-Electron Photoluminescence of Para- and Ferromagnetic (Ga,Mn)As Layers, V. F. Sapega, M. Ramsteiner, O. Brandt, L. Däweritz, K. H. Ploog, 2007[/01/01]
- Structural, optical, and magnetic properties of (Ga,Mn)As∕AlAs multiple quantum well structures, K. H. Ploog, A. Trampert, O. Brandt, V. F. Sapega, J. Vac. Sci. Technol. B, v.25, n.4, p. 1460, 2007[/01/01]
- Hot-electron photoluminescence study of the(Ga,Mn)Asdiluted magnetic semiconductor, V. F. Sapega, M. Ramsteiner, O. Brandt, L. Däweritz, K. H. Ploog, Phys. Rev. B, v.73, n.23, 2006[/06/16]
- Polarization of Valence Band Holes in the (Ga,Mn)As Diluted Magnetic Semiconductor, V. F. Sapega, M. Moreno, M. Ramsteiner, L. Däweritz, K. H. Ploog, Phys. Rev. Lett., v.94, n.13, 2005[/04/04]
- Colossal Magnetic Moment of Gd in GaN, S. Dhar, O. Brandt, M. Ramsteiner, V. F. Sapega, K. H. Ploog, Phys. Rev. Lett., v.94, n.3, 2005[/01/27]
- Vertical transport of hot electrons in GaAs/AlAs superlattices, D. N. Mirlin, V. F. Sapega, V. M. Ustinov, Semiconductors, v.38, n.5, pp. 576-580, 2004[/05/01]
- Spin-Flip Raman Study of Exchange Interactions in Bulk GaAs:Mn, V. F. Sapega, T. Ruf, M. Cardona, phys. stat. sol. (b), v.226, n.2, pp. 339-356, 2001[/08/01]
- Ionization of an exciton moving perpendicular to a magnetic field in the GaAs/AlxGa1-x As superlattice, B. P. Zakharchenya, V. F. Sapega, Jetp Lett., v.74, n.1, pp. 32-35, 2001[/07/01]
- Inelastic scattering of hot electrons in n-GaAs/AlAs types I and II multiple quantum wells doped with silicon, I. A. Akimov, V. F. Sapega, D. N. Mirlin, V. M. Ustinov, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, v.10, n.4, pp. 505-510, 2001[/06/01]
- Monitoring the sign reversal of the valence band exchange integral in (Ga,Mn)As, W. Heimbrodt, T. Hartmann, P. J. Klar, M. Lampalzer, W. Stolz, K. Volz, A. Schaper, W. Treutmann, H. -. von Nidda, A. Loidl, T. Ruf, V. F. Sapega, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, v.10, pp. 175-180, 2001[/05/01]