Русский
English
Джиоев Рослан Иванович
Полное имя на английском: Dzhioev Roslan Ivanovich
Учёная степень: кандидат физико-математических наук
Должность: старший научный сотрудник
e-mail: dzhioev@orient.ioffe.ru
БД ФТИ: 0276
Проекты
- РФФИ №19-52-12034 “Ферромагнитный эффект близости в гибридной структуре ферромагнетик-полупроводник”, руководитель: В. Л. Коренев (2019 - 2023)
События
- 31.12.2012 Премия ФТИ за работу "Оптическая ориентация ионов марганца в GaAs:Mn"
- 31.12.2004 Премия ФТИ за работу "Cпиновая релаксация электронов в полупроводниках n-типа"
- 31.12.1998 Премия ФТИ за работу "Фотомагнетизм гибридных систем ферромагнетик/полупроводник"
- 31.12.1997 Премия ФТИ за работу "Тонкая структура экситонов в низкоразмерных системах"
Публикации
- Electrical control of optical orientation of neutral and negatively charged excitons in ann-type semiconductor quantum well, R. I. Dzhioev, V. L. Korenev, M. V. Lazarev, V. F. Sapega, D. Gammon, A. S. Bracker, Phys. Rev. B, v.75, n.3, 2007[/01/30]
- Study of the Hanle effect with the transverse component of the electron spin orientation in III–V semiconductors, R. I. Dzhioev, I. G. Aksyanov, M. V. Lazarev, O. A. Ninua, Phys. Solid State, v.48, n.12, pp. 2270-2274, 2006[/12/01]
- Electron Spin Filtering in the GaAs∕AlGaAs Interface Space Charge Field, R. I. Dzhioev, Phys. Solid State, v.47, n.8, p. 1584, 2005[/01/01]
- Suppression of Dyakonov-Perel Spin Relaxation in High-Mobilityn-GaAs, R. I. Dzhioev, K. V. Kavokin, V. L. Korenev, M. V. Lazarev, N. K. Poletaev, B. P. Zakharchenya, E. A. Stinaff, D. Gammon, A. S. Bracker, M. E. Ware, Phys. Rev. Lett., v.93, n.21, 2004[/11/15]
- The hanle effect in nonuniformly doped GaAs, R. I. Dzhioev, B. P. Zakharchenya, K. V. Kavokin, M. V. Lazarev, Phys. Solid State, v.45, n.12, pp. 2255-2263, 2003[/12/01]
- Nonradiative recombination and kinetics of optically oriented electrons at the GaAs/AlGaAs interface, R. I. Dzhioev, K. V. Kavokin, Phys. Solid State, v.45, n.9, pp. 1644-1647, 2003[/09/01]
- Low-temperature spin relaxation inn-type GaAs, R. I. Dzhioev, K. V. Kavokin, V. L. Korenev, M. V. Lazarev, B. Y. Meltser, M. N. Stepanova, B. P. Zakharchenya, D. Gammon, D. S. Katzer, Phys. Rev. B, v.66, n.24, 2002[/12/20]
- Optical orientation and the Hanle effect of neutral and negatively charged excitons inGaAs/AlxGa1-xAsquantum wells, R. I. Dzhioev, V. L. Korenev, B. P. Zakharchenya, D. Gammon, A. S. Bracker, J. G. Tischler, D. S. Katzer, Phys. Rev. B, v.66, n.15, 2002[/10/30]
- Manipulation of the Spin Memory of Electrons inn-GaAs, R. I. Dzhioev, V. L. Korenev, I. A. Merkulov, B. P. Zakharchenya, D. Gammon, A. L. Efros, D. S. Katzer, Phys. Rev. Lett., v.88, n.25, 2002[/06/05]
- Long electron spin memory times in gallium arsenide, R. I. Dzhioev, B. P. Zakharchenya, V. L. Korenev, D. Gammon, S. Katzer, Jetp Lett., v.74, n.3, pp. 182-185, 2001[/08/01]