Байрамов Бахыш Халил Оглы

Полное имя на английском: Bairamov Bakhysh Khalil Ogly

Учёная степень: доктор физико-математических наук

Должность: главный научный сотрудник

e-mail: bairamov@mail.ioffe.ru

БД ФТИ: 0067

Статус: не работает

Публикации

• Многозонная резонансная спектрометрия неупругого электронного рассеяния света и проявление сильного спин-орбитального взаимодействия в наноструктурах с квантовыми точками, В. В. Топоров, Б. Х. Байрамов, v.65, n.5, p. 745, 2023[/01/01]
• Toward new opportunities in the study of the biological potential of plants, V. Yu Rud, V. M. Kosolapov, W. Hogland, I. V. Savchenko, M. V. Diuldin, B. K. Bairamov, E. I. Terukov, F. Switala, IOP Conf. Ser.: Earth Environ. Sci., v.1096, n.1, p. 12026, 2022[/10/01]
• Recombination radiation of heteroepitaxial structures with InAs quantum dots grown on surface of (311)B GaAs by MBE, Y. A. Kuznetsova, F. B. Bayramov, V. V. Toporov, B. K. Bairamov, V. Yu Rud, A. P. Glinushkin, IOP Conf. Ser.: Earth Environ. Sci., v.1096, n.1, p. 12032, 2022[/10/01]
• Resonant Light Scattering by Optical Phonons in a Homoepitxial n-GaP Nanolayer Grown on a (001)n-GaP Substrate, B. K. Bairamov, Phys. Solid State, v.63, n.2, pp. 237-241, 2021[/02/01]
• Резонансное рассеяние света оптическими фононами в гомоэпитксиальном нанослое n-GaP, выращенном на подложке (001)n-GaP, Б. Х. Байрамов, v.63, n.2, p. 213, 2021[/01/01]
• Оптическая характеризация структурных и электрических свойств нанослоев n-GaP, выращенных на проводящих подложках (001) n-GaP, Б. Х. Байрамов, В. В. Топоров, Ф. Б. Байрамов, v.63, n.1, p. 80, 2021[/01/01]
• Optical Characterization of the Structural and Electrical Properties of the n-GaP Nanolayers Grown on Conductive (001) n-GaP Substrates, B. K. Bairamov, V. V. Toporov, F. B. Bayramov, Phys. Solid State, v.63, n.1, pp. 79-83, 2021[/01/01]
• Резонансное рассеяние света оптическими фононами в гомоэпитксиальном нанослое n-GaP, выращенном на подложке (001)n-GaP, Б. Х. Байрамов, v.63, n.2, p. 213, 2021[/01/01]
• Raman Spectroscopy of GaN Epitaxial Layers Synthesized on Si(111) by Molecular Beam Epitaxy with Nitridation, E. A. Lubyankina, V. V. Toporov, A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, K. Y. Shubina, B. K. Bairamov, A. D. Bouravleuv, Semiconductors, v.54, n.14, pp. 1847-1849, 2020[/12/01]
• Raman analysis of epitaxial GaN layers grown on Si (111) by PA MBE, E. A. Lubyankina, V. V. Toporov, A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, K. Y. Shubina, B. K. Bairamov, A. D. Bouravleuv, J. Phys.: Conf. Ser., v.1695, n.1, p. 12022, 2020[/12/01]

Обратно к списку сотрудников