Русский
English
Афанасьев Михаил Михайлович
Полное имя на английском: Afanasiev Mikhail Mikhailovich
Учёная степень: кандидат физико-математических наук
Должность: старший научный сотрудник
e-mail: m.afanasiev@mail.ioffe.ru
ORCID: 0000-0003-3955-8389
БД ФТИ: 0052
Проекты
- РНФ 23-12-00205 “Спин-спиновые взаимодействия в разбавленных магнитных полупроводниках”, руководитель: В. К. Калевич (2023 - 2025)
События
- 31.12.2020 Премии ФТИ 2020
- 31.12.2017 Премия ФТИ за работу "Спин-зависимая рекомбинация и сверхтонкое взаимодействие на глубоких парамагнитных дефектах"
- 13.05.2016 Премии ФТИ 2015
- 31.12.2008 Премии ФТИ 2008
Публикации
- Ring-shaped polariton lasing in pillar microcavities, V. K. Kalevich, M. M. Afanasiev, V. A. Lukoshkin, K. V. Kavokin, S. I. Tsintzos, P. G. Savvidis, A. V. Kavokin, v.115, n.9, 2014[/03/07]
- Optical orientation of nuclei in nitrogen alloys GaAsN at room temperature, V. K. Kalevich, M. M. Afanasiev, A. Y. Shiryaev, A. Y. Egorov, Jetp Lett., v.96, n.9, pp. 567-571, 2013[/01/01]
- Amplification of spin-filtering effect by magnetic field in GaAsN alloys, V. K. Kalevich, M. M. Afanasiev, A. Y. Shiryaev, A. Y. Egorov, Phys. Rev. B, v.85, n.3, 2012[/01/17]
- Optical orientation and spin-dependent recombination in GaAsN alloys under continuous-wave pumping, E. L. Ivchenko, V. K. Kalevich, A. Y. Shiryaev, M. M. Afanasiev, Y. Masumoto, J. Phys.: Condens. Matter, v.22, n.46, p. 465804, 2010[/11/24]
- Hanle effect and spin-dependent recombination at deep centers in GaAsN, V. K. Kalevich, A. Y. Shiryaev, E. L. Ivchenko, M. M. Afanasiev, A. Y. Egorov, V. M. Ustinov, Y. Masumoto, Physica B: Condensed Matter, v.404, pp. 4929-4932, 2009[/12/01]
- ESR study of photoinjection of hydrogen in nanostructured MoO3 thin films, A. I. Gavrilyuk, M. M. Afanasiev, Solar Energy Materials and Solar Cells, v.93, n.2, pp. 280-288, 2009[/02/01]
- The sign of electrong-factor in GaAs1-xNxmeasured by using the Hanle effect, V. K. Kalevich, E. L. Ivchenko, A. Y. Shiryaev, M. M. Afanasiev, A. Y. Egorov, M. Ikezawa, Y. Masumoto, Semicond. Sci. Technol., v.23, n.11, p. 114008, 2008[/11/01]
- Spin-dependent recombination in GaAsN solid solutions, V. K. Kalevich, E. L. Ivchenko, M. M. Afanasiev, A. Y. Shiryaev, A. Y. Egorov, V. M. Ustinov, B. Pal, Y. Masumoto, Jetp Lett., v.82, n.7, pp. 455-458, 2005[/10/01]
- Determination of strain-induced valence-band splitting in GaAsN thin films from circularly polarized photoluminescence, A. Y. Egorov, V. K. Kalevich, M. M. Afanasiev, A. Y. Shiryaev, V. M. Ustinov, M. Ikezawa, Y. Masumoto, v.98, n.1, 2005[/07/01]