Программа П220 Правительства РФ, договор № 14.Z50.31.0021
Name: Гибридная СпинОптроника: функциональные возможности спина в полупроводниковых наноструктурах и гибридах полупроводник/металл: оптическое, микроволновое и электрическое управление спинами (мегагрант, ведущий учёный – М.Х. Байер)
Start: 2014
End: 2018
Цель проекта
Изучение и понимание спиновых явлений в новейших образцах системах на основе полупроводников. Использование полученных знаний для развития таких областей как спиновая электроника, оптоэлектроника, квантовая информатика и т.д.
Добиться возможности оптического и электронного управления спинами в подобных структурах.
Разработать гибридные структуры полупроводник/ферромагнетик в которых новые функциональные возможности будут достигаться за счет комбинации разных блоков, оперирующих зарядом или спином.
Разработать новые экспериментальные методы, комбинирующие методы оптической спектроскопии и методы магнитного резонанса, для исследования атомной и спиновой структуры точечных дефектов. В качестве конкретного примера: мы ожидаем, что исследование сильно взаимодействующих систем полупроводник/ферромагнетик и высокотемпературной светоиндуцированной спиновой поляризации электронов в GaAs:N и в широкозонном полупроводнике SiC, позволит в будущем создавать совершенно новые спиновые устройства, работающие при комнатной температуре.
Основные задачи
Экспериментальное и теоретическое изучение спин-зависимой рекомбинации на парамагнитных центрах при оптической или электрической инжекции носителей в полупроводник или полупроводниковую структуру. Разработка на основе полученных результатов новых устройств для спинтроники.
ЭПР, ЭСЭ и ОДМР исследования интересных для спинтроники полупроводниковых наноструктур и одиночных квантовых объектов.
Реализация ближнепольной микроскопии для исследования одиночных объектов: квантовых точек, молекул и примесных центров в кристаллах. Демонстрация оптического управления зарядовым и спиновым состоянием.
Изучение механизмов, ответственных за эффекты, происходящие на малых расстояниях: i) спин-зависимое туннелирование через интерфейс, ii) s-d (p-d) обменное взаимодействие между носителями заряда и магнитными ионами.
Планируемые результаты
Разработка методов, позволяющих использовать спин-зависимую рекомбинацию для получения высоких значений спиновой поляризации (вплоть до 100%) свободных электронов в зоне проводимости, электронов, локализованных на глубоких примесях, и ядер вокруг этих центров, при комнатной температуре и слабом магнитном поле.
Теоретическое описание и экспериментальная идентификация главных механизмов, ответственных за взаимодействие спинов носителей в полупроводниковой квантовой яме с намагниченностью ферромагнетика. 3.Оптическое и электрическое управление намагниченностью в гибридных квантовых ямах ферромагнетик/полупроводник.
Разработка методологии магниторезонансной спектроскопии основанной на спин-зависимой рекомбинации и спин-зависимой проводимости.
Обобщение теории непрямого обменного взаимодействия между двумя парамагнитными центрами в полупроводниковых гетероструктурах.