Ioffe Institute Award for "Hole polarization and ferromagnetic order in dilute magnetic semiconductor (Ga,Mn)As"

Date: 31.12.2009

Employees: V. F. Sapega

Присуждена Премия ФТИ за 2009 год за работу "Поляризация дырок и ферромагнитный порядок в разбавленном магнитном полупроводнике (Ga,Mn)As"

Авторы: Аверкиев, Н.С.; Плуг, К.; Сапега, В.Ф.

https://ioffe.ru/ru/nauka/rezultaty/konkursnye-premii/institute/

Back to events

Top