Kusrayev Yury Georgievich

Academic degree: doctor of physical and mathematical sciences
Position: head of the department of solid state physics, head of laboratory
e-mail: kusrayev@orient.ioffe.ru
Ioffe DB: 0537
Dissertations
- 08.06.2000. Фото- и магнитоиндуцированные эффекты в полумагнитных полупроводниках и квантовых структурах. Диссертация на соискание ученой степени: doctor of physical and mathematical sciences, по специальности физика конденсированного состояния (01.04.07), совет: Д 002.205.01, Место защиты: ФТИ им. А.Ф. Иоффе. Утверждена ВАК: 10 ноября 2000, протокол: 54д/43. Текст диссертации. Автореферат.
Projects
- РНФ 22-12-00125-П “Спиновые взаимодействия и спин-зависимые процессы в полупроводниковых наноструктурах”, head: Y. G. Kusrayev (2025 - 2026)
- Грант РНФ № 22-12-00125 “Спиновые взаимодействия и спин-зависимые процессы в полупроводниковых наноструктурах”, head: Y. G. Kusrayev (2022 - 2024)
- Грант РНФ № 18-12-00352 “Оптический, электрический и деформационный контроль спинов в полупроводниковых наноструктурах”, head: Y. G. Kusrayev (2018 - 2020)
- Грант РНФ № 14-42-00015 “Оптические явления в спин-коррелированных системах в полупроводниковых наноструктурах”, head: Д. Р. Яковлев (2014 - 2018)
Events
- 21.09.2015 Opening of the International Research Center (ICRC)
- 05.03.2015 Press conference of the first Russian-German joint research center TRR 160 in St. Petersburg
- 31.12.2012 Ioffe Institute Award for "Optical orientation of manganese ions in GaAs:Mn"
- 31.12.2012 Kusrayev Y.G. awarded the medal E.F. Gross
- 31.12.2011 Ioffe Institute Award for "Resonant optical response of semiconductor structures: effects of natural line broadening and strong exchange interaction"
Publications
- Optically detected magnetic resonance in CdMnSe/ZnSe submonolayer quantum wells, D. O. Tolmachev, R. A. Babunts, N. G. Romanov, P. G. Baranov, B. R. Namozov, Y. G. Kusrayev, S. Lee, M. Dobrowolska, J. K. Furdyna, Physica Status Solidi (b), v.247, n.6, pp. 1511-1513, 2010[/06/01]
- Erratum: Spin depolarization of holes and lineshape of the Hanle effect in semiconductor nanostructures [Phys. Rev. B80, 113301 (2009)], S. V. Andreev, B. R. Namozov, A. V. Koudinov, Y. G. Kusrayev, J. K. Furdyna, Phys. Rev. B, v.81, n.11, 2010[/03/10]
- Observation of the magnetic soft mode in (Cd,Mn)Te quantum wells using spin-flip Raman scattering, C. Kehl, G. V. Astakhov, K. V. Kavokin, Y. G. Kusrayev, W. Ossau, G. Karczewski, T. Wojtowicz, J. Geurts, Phys. Rev. B, v.80, n.24, 2009[/12/29]
- Spin depolarization of holes and lineshape of the Hanle effect in semiconductor nanostructures, S. V. Andreev, B. R. Namozov, A. V. Koudinov, Y. G. Kusrayev, J. K. Furdyna, Phys. Rev. B, v.80, n.11, 2009[/09/01]
- Electron-spin dynamics in Mn-doped GaAs using time-resolved magneto-optical techniques, I. A. Akimov, R. I. Dzhioev, V. L. Korenev, Y. G. Kusrayev, E. A. Zhukov, D. R. Yakovlev, M. Bayer, Phys. Rev. B, v.80, n.8, 2009[/08/12]
- Giant modulation of resonance Raman scattering from (Cd,Mn)Te quantum wells by secondary illumination, A. V. Koudinov, Y. G. Kusrayev, D. Wolverson, L. C. Smith, J. J. Davies, G. Karczewski, T. Wojtowicz, Phys. Rev. B, v.79, n.24, 2009[/06/12]
- Evidence for Mn2+ fine structure in CdMnSe/ZnSe quantum dots caused by their low dimensionality, P. G. Baranov, N. G. Romanov, D. O. Tolmachev, R. A. Babunts, B. R. Namozov, Y. G. Kusrayev, I. V. Sedova, S. V. Sorokin, S. V. Ivanov, Jetp Lett., v.88, n.9, pp. 631-635, 2009[/01/01]
- Modulation of Quantum Well Optical Properties by Illumination above the Barrier Bandgap, A. V. Koudinov, Y. G. Kusrayev, L. C. Smith, J. J. Davies, D. Wolverson, M. Wiater, G. Karczewski, T. Wojtowicz, J. Korean Phy. Soc., v.53, pp. 2792-2795, 2008[/11/15]
- Linearly Polarized Emission of Quantum Wells Subject to an In-Plane Magnetic Field, Y. G. Kusrayev, A. V. Koudinov, N. S. Averkiev, D. Wolverson, J. J. Davies, J. Kossut, G. Karczewski, T. Wojtowicz, J. Korean Phy. Soc., v.53, pp. 2782-2786, 2008[/11/15]
- Optical orientation of excitons and carriers in quantum dots, Y. G. Kusrayev, Semicond. Sci. Technol., v.23, n.11, p. 114013, 2008[/11/01]