Golovatenko Aleksandr Anatolevich

Academic degree: candidate of physical and mathematical sciences

Position: senior scientific researcher

ORCID: 0000-0003-2248-3157

Ioffe DB: 2542

Dissertations

• 20.12.2018. Энергетическая структура и магнитооптические свойства экситонных комплексов в полупроводниковых квантовых точках A2B6. Диссертация на соискание ученой степени: candidate of physical and mathematical sciences, по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: Д 002.205.02, руководитель(и): А. В. Родина. Место защиты: ФТИ им. А.Ф. Иоффе. Текст диссертации. Автореферат.

Projects

• РНФ 23-12-00300 “Спин-зависимые и экситонные эффекты в двумерных и нульмерных полупроводниковых наносистемах”, head: A. V. Rodina (2023 - 2025)
• Грант РНФ-FWO 20-42-01008 “Экситоны и экситонные комплексы в коллоидных нанокристаллах: влияние размерности, кристаллической структуры и поверхности (CONEX)”, head: A. V. Rodina (2020 - 2022)
• РФФИ №19-52-12064 “Взаимодействие спинов экситонов, носителей и оборванных связей в коллоидных наноструктурах”, head: A. V. Rodina (2019 - 2023)

Events

• 13.05.2016 Ioffe Institute Awards 2015

Publications

• On the self-structuring of single-crystal silicon wafers under inductive heating in vacuum, M. G. Mynbaeva, S. P. Lebedev, A. A. Lavrent’ev, K. D. Mynbaev, A. A. Golovatenko, A. A. Lebedev, V. I. Nikolaev, Semiconductors, v.48, n.3, pp. 350-353, 2014[/03/01]

Back to the list of employees