Сапега Виктор Фёдорович
Полное имя на английском: Sapega Viktor Fedorovich
07.03.1955 - 04.04.2022
Учёная степень: доктор физико-математических наук
ORCID: 0000-0003-3944-7443
Диссертации
- 19.11.1998. Фотолюминесценция горячих электронов и комбинационное рассеяние света в структурах с квантовыми ямами GaAs/AlAs. Диссертация на соискание ученой степени: доктор физико-математических наук, по специальности физика полупроводников и диэлектриков (01.04.10), Место защиты: ФТИ им. А.Ф. Иоффе. Текст диссертации. Автореферат.
Проекты
- Грант РНФ № 18-12-00352 “Оптический, электрический и деформационный контроль спинов в полупроводниковых наноструктурах”, руководитель: Ю. Г. Кусраев (2018 - 2020)
- РФФИ №15-52-12017 “Исследование спин-спиновых взаимодействий носителей заряда и магнитных ионов методом неупругого рассеяния света с переворотом спина”, руководитель: В. Ф. Сапега (2015 - 2018)
- Грант РНФ № 14-42-00015 “Оптические явления в спин-коррелированных системах в полупроводниковых наноструктурах”, руководитель: Д. Р. Яковлев (2014 - 2018)
События
- 31.12.2020 Премии ФТИ 2020
- 31.12.2019 Премия ФТИ за работу "Взаимодействие экситона с резидентными электронами в коллоидных нанокристаллах CdSe"
- 21.09.2015 Открытие международного исследовательского центра (ICRC)
- 31.12.2012 Премия ФТИ за работу "Оптическая ориентация ионов марганца в GaAs:Mn"
- 31.12.2009 Премия ФТИ за работу "Поляризация дырок и ферромагнитный порядок в разбавленном магнитном полупроводнике (Ga,Mn)As"
Публикации
- Magnetic-field-induced transitions between minibands in GaAs/AlxGa1-x As superlattices, V. F. Sapega, D. N. Mirlin, T. Ruf, M. Cardona, W. Winter, K. Eberl, Semiconductors, v.35, n.4, pp. 447-450, 2001[/04/01]
- Spin-flip Raman scattering in Mn-doped GaAs: exchange interaction and g factor renormalization, V. F. Sapega, T. Ruf, M. Cardona, Solid State Communications, v.114, n.11, pp. 573-577, 2000[/05/01]
- Optical-phonon emission in GaAs/AlAs multiple-quantum-well structures determined by hot-electron luminescence, V. F. Sapega, M. P. Chamberlain, T. Ruf, M. Cardona, D. N. Mirlin, K. Tötemeyer, A. Fischer, K. Eberl, Phys. Rev. B, v.52, n.19, pp. 14144-14149, 1995[/11/15]
- Magneto-optical study of quantum-well electronic structure using disorder-induced resonant acoustic-phonon Raman scattering, G. Goldoni, T. Ruf, V. F. Sapega, A. Fainstein, M. Cardona, Phys. Rev. B, v.51, n.20, pp. 14542-14548, 1995[/05/15]
- Interface roughness and homogeneous linewidths in quantum wells and superlattices studied by resonant acoustic-phonon Raman scattering, T. Ruf, J. Spitzer, V. F. Sapega, V. I. Belitsky, M. Cardona, K. Ploog, Phys. Rev. B, v.50, n.3, pp. 1792-1806, 1994[/07/15]
- Resonant Raman scattering due to bound-carrier spin flip in GaAs/AlxGa1-xAs quantum wells, V. F. Sapega, T. Ruf, M. Cardona, K. Ploog, E. L. Ivchenko, D. N. Mirlin, Phys. Rev. B, v.50, n.4, pp. 2510-2519, 1994[/07/15]
- Disorder-induced Raman scattering of folded phonons in quantum wells and superlattices, T. Ruf, V. I. Belitsky, J. Spitzer, V. F. Sapega, M. Cardona, K. Ploog, Solid-State Electronics, v.37, pp. 609-612, 1994[/04/01]
- Raman scattering from folded phonon dispersion gaps, T. Ruf, V. I. Belitsky, J. Spitzer, V. F. Sapega, M. Cardona, K. Ploog, Phys. Rev. Lett., v.71, n.18, pp. 3035-3038, 1993[/11/01]
- Secondary emission and acoustic-phonon scattering induced by strong magnetic fields in multiple quantum wells, V. F. Sapega, V. I. Belitsky, T. Ruf, H. D. Fuchs, M. Cardona, K. Ploog, Phys. Rev. B, v.46, n.24, pp. 16005-16011, 1992[/12/15]
- Resonant one-acoustic-phonon Raman scattering in multiple quantum wells, V. F. Sapega, V. I. Belitsky, A. J. Shields, T. Ruf, M. Cardona, K. Ploog, Solid State Communications, v.84, n.11, pp. 1039-1042, 1992[/12/01]