Родина Анна Валерьевна

Полное имя на английском: Rodina Anna Valerevna

Учёная степень: доктор физико-математических наук

Должность: главный научный сотрудник

e-mail: anna.rodina@mail.ioffe.ru

ORCID: 0000-0002-8581-8340

БД ФТИ: 0826

Диссертации

• 17.11.2016. Оптические и спиновые явления в полупроводниковых коллоидных нанокристаллах. Диссертация на соискание ученой степени: доктор физико-математических наук, по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: Д 002.205.02, Место защиты: ФТИ им. А.Ф. Иоффе. Утверждена ВАК: 28 апреля 2017, протокол: 397/нк прил. 10. Текст диссертации. Автореферат.

Проекты

• РНФ 23-12-00300 “Спин-зависимые и экситонные эффекты в двумерных и нульмерных полупроводниковых наносистемах”, руководитель: А. В. Родина (2023 - 2025)
• Грант РНФ-FWO 20-42-01008 “Экситоны и экситонные комплексы в коллоидных нанокристаллах: влияние размерности, кристаллической структуры и поверхности (CONEX)”, руководитель: А. В. Родина (2020 - 2022)
• РФФИ №19-52-12064 “Взаимодействие спинов экситонов, носителей и оборванных связей в коллоидных наноструктурах”, руководитель: А. В. Родина (2019 - 2023)
• РФФИ №17-02-01063-a “Магнитные явления в полупроводниковых коллоидных нанокристаллах”, руководитель: А. В. Родина (2017 - 2021)
• РФФИ №13-02-00888-а “Экситоны и многочастичные экситонные комплексы в сферических полупроводниковых нанокристаллах: энергетический спектр, рекомбинационная и спиновая динамика”, руководитель: А. В. Родина (2013 - 2016)

События

• 01.06.2015 SPCT-2015
• 10.04.2015 Премия ФТИ 2014
• 31.12.2003 Премия ФТИ за работу "Метод эффективной массы в теории наноструктур: обобщенные граничные условия в многозонной модели и влияние интерфейсов на энергетический спектр носителей"

Публикации

• Theory of intrinsic electric polarization and spin Hall current in spin-orbit-coupled semiconductor heterostructures, A. V. Rodina, A. Y. Alekseev, Phys. Rev. B, v.78, n.11, 2008[/09/05]
• Least-action principle for envelope functions in abrupt heterostructures, A. V. Rodina, A. Y. Alekseev, Phys. Rev. B, v.73, n.11, 2006[/03/10]
• Magneto-optical properties of bound excitons in ZnO, A. V. Rodina, M. Strassburg, M. Dworzak, U. Haboeck, A. Hoffmann, A. Zeuner, H. R. Alves, D. M. Hofmann, B. K. Meyer, Phys. Rev. B, v.69, n.12, 2004[/03/11]
• Bound exciton and donor–acceptor pair recombinations in ZnO, B. K. Meyer, H. Alves, D. M. Hofmann, W. Kriegseis, D. Forster, F. Bertram, J. Christen, A. Hoffmann, M. Straßburg, M. Dworzak, U. Haboeck, A. V. Rodina, phys. stat. sol. (b), v.241, n.2, pp. 231-260, 2004[/02/01]
• Effect of the surface on the electron quantum size levels and electrongfactor in spherical semiconductor nanocrystals, A. V. Rodina, A. L. Efros, A. Y. Alekseev, Phys. Rev. B, v.67, n.15, 2003[/04/21]
• Spin dynamics in semiconductor nanocrystals, J. A. Gupta, D. D. Awschalom, A. L. Efros, A. V. Rodina, Phys. Rev. B, v.66, n.12, 2002[/09/11]
• General boundary conditions for the envelope function in the multibandk⋅pmodel, A. V. Rodina, A. Y. Alekseev, A. L. Efros, M. Rosen, B. K. Meyer, Phys. Rev. B, v.65, n.12, 2002[/02/13]
• Valence-band ordering and magneto-optic exciton fine structure in ZnO, W. R. Lambrecht, A. V. Rodina, S. Limpijumnong, B. Segall, B. K. Meyer, Phys. Rev. B, v.65, n.7, 2002[/01/23]
• Theory of the Zeeman effect in semiconductor nanocrystals, A. V. Rodina, L. Efros, M. Rosen, B. K. Meyer, Materials Science and Engineering: C, v.19, pp. 435-438, 2002[/01/01]
• Anisotropy of conduction bandgvalues and interband momentum matrix elements in wurtzite GaN, A. V. Rodina, B. K. Meyer, Phys. Rev. B, v.64, n.24, 2001[/12/04]

Обратно к списку сотрудников