Родина Анна Валерьевна
Полное имя на английском: Rodina Anna Valerevna
Учёная степень: доктор физико-математических наук
Должность: главный научный сотрудник
e-mail: anna.rodina@mail.ioffe.ru
ORCID: 0000-0002-8581-8340
БД ФТИ: 0826
Диссертации
- 17.11.2016. Оптические и спиновые явления в полупроводниковых коллоидных нанокристаллах. Диссертация на соискание ученой степени: доктор физико-математических наук, по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: Д 002.205.02, Место защиты: ФТИ им. А.Ф. Иоффе. Утверждена ВАК: 28 апреля 2017, протокол: 397/нк прил. 10. Текст диссертации. Автореферат.
Проекты
- РНФ 23-12-00300 “Спин-зависимые и экситонные эффекты в двумерных и нульмерных полупроводниковых наносистемах”, руководитель: А. В. Родина (2023 - 2025)
- Грант РНФ-FWO 20-42-01008 “Экситоны и экситонные комплексы в коллоидных нанокристаллах: влияние размерности, кристаллической структуры и поверхности (CONEX)”, руководитель: А. В. Родина (2020 - 2022)
- РФФИ №19-52-12064 “Взаимодействие спинов экситонов, носителей и оборванных связей в коллоидных наноструктурах”, руководитель: А. В. Родина (2019 - 2023)
- РФФИ №17-02-01063-a “Магнитные явления в полупроводниковых коллоидных нанокристаллах”, руководитель: А. В. Родина (2017 - 2021)
- РФФИ №13-02-00888-а “Экситоны и многочастичные экситонные комплексы в сферических полупроводниковых нанокристаллах: энергетический спектр, рекомбинационная и спиновая динамика”, руководитель: А. В. Родина (2013 - 2016)
События
- 01.06.2015 SPCT-2015
- 10.04.2015 Премия ФТИ 2014
- 31.12.2003 Премия ФТИ за работу "Метод эффективной массы в теории наноструктур: обобщенные граничные условия в многозонной модели и влияние интерфейсов на энергетический спектр носителей"
Публикации
- Magnetic absorption of hexagonal crystals CdSe in strong and weak fields: Quasi-cubic approximation, A. B. Kapustina, B. V. Petrov, A. V. Rodina, R. P. Seisyan, Phys. Solid State, v.42, n.7, pp. 1242-1252, 2000[/07/01]
- Weak- and strong-field magnetooptics of wurtzite CdSe: parameters of quasi-cubic approximation, A. B. Kapustina, B. V. Petrov, A. V. Rodina, R. P. Seisyan, Journal of Crystal Growth, pp. 899-903, 2000[/06/01]
- Exciton Energy Structure in Wurtzite GaN, A. V. Rodina, M. Dietrich, A. Göldner, L. Eckey, A. L. Efros, M. Rosen, A. Hoffmann, B. K. Meyer, phys. stat. sol. (b), v.216, n.1, pp. 21-26, 1999[/11/01]
- Effective Mass Calculation of the Shallow Acceptor Ground State g-Factor for A3B5 Semiconductors, A. V. Malyshev, I. A. Merkulov, A. V. Rodina, phys. stat. sol. (b), v.210, n.2, pp. 865-868, 1998[/12/01]
- Ground-state characteristics of an acceptor center in wide-gap semiconductors with a weak spin-orbit coupling, A. V. Malyshev, I. A. Merkulov, A. V. Rodina, Phys. Solid State, v.40, n.6, pp. 917-923, 1998[/06/01]
- Theory of acceptor-ground-state description and hot photoluminescence in cubic semiconductors, A. V. Malyshev, I. A. Merkulov, A. V. Rodina, Phys. Rev. B, v.55, n.7, pp. 4388-4399, 1997[/02/15]
- Band-edge absorption and luminescence of nonspherical nanometer-size crystals, A. L. Efros, A. V. Rodina, Phys. Rev. B, v.47, n.15, pp. 10005-10007, 1993[/04/15]
- A+— center and exciton bound to neutral acceptor in diamond-like semiconductors, A. V. Rodina, Solid State Communications, v.85, n.1, pp. 23-28, 1993[/01/01]
- Absorption and intensity-dependent photoluminescence measurements on CdSe quantum dots: assignment of the first electronic transitions, A. I. Ekimov, I. A. Kudryavtsev, A. L. Efros, T. V. Yazeva, F. Hache, M. C. Schanne-Klein, A. V. Rodina, D. Ricard, C. Flytzanis, J. Opt. Soc. Am. B, v.10, n.1, p. 100, 1993[/01/01]
- Confined excitons, trions and biexcitons in semiconductor microcrystals, A. L. Efros, A. V. Rodina, Solid State Communications, v.72, n.7, pp. 645-649, 1989[/11/01]