Русский
English
Головатенко Александр Анатольевич
Полное имя на английском: Golovatenko Aleksandr Anatolevich
Учёная степень: кандидат физико-математических наук
Должность: старший научный сотрудник
ORCID: 0000-0003-2248-3157
БД ФТИ: 2542
Диссертации
- 20.12.2018. Энергетическая структура и магнитооптические свойства экситонных комплексов в полупроводниковых квантовых точках A2B6. Диссертация на соискание ученой степени: кандидат физико-математических наук, по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: Д 002.205.02, руководитель(и): А. В. Родина. Место защиты: ФТИ им. А.Ф. Иоффе. Текст диссертации. Автореферат.
Проекты
- РНФ 23-12-00300 “Спин-зависимые и экситонные эффекты в двумерных и нульмерных полупроводниковых наносистемах”, руководитель: А. В. Родина (2023 - 2025)
- Грант РНФ-FWO 20-42-01008 “Экситоны и экситонные комплексы в коллоидных нанокристаллах: влияние размерности, кристаллической структуры и поверхности (CONEX)”, руководитель: А. В. Родина (2020 - 2022)
- РФФИ №19-52-12064 “Взаимодействие спинов экситонов, носителей и оборванных связей в коллоидных наноструктурах”, руководитель: А. В. Родина (2019 - 2023)
События
- 13.05.2016 Премии ФТИ 2015
Публикации
- On the self-structuring of single-crystal silicon wafers under inductive heating in vacuum, M. G. Mynbaeva, S. P. Lebedev, A. A. Lavrent’ev, K. D. Mynbaev, A. A. Golovatenko, A. A. Lebedev, V. I. Nikolaev, Semiconductors, v.48, n.3, pp. 350-353, 2014[/03/01]